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“钼”成300层+NAND必选项机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

一 | K图 603618_0 　　杭电股份8月25日晚发布半年度业绩报告，公司上半年实现营业收入50.97亿元，同比增长12.66%；归属于上市公司股东的净利润为3.93亿元，同比增长938.67%。　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。
　　值得注意的是，通过对比公司一季报及半年报，章建平在二季度新进成为公司第三大股东，持有2432.45万股，占总股本比例3.52%。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。

二 | 　　图片来源：公司半年报公告　　公告显示，1—6月，公司生产经营呈现“电力电缆业务保持稳定、光通信业务增收增利、铜箔业务稳步推进”的态势。　　报告期内，虽然电力电缆板块销售收入实现稳步增长，但由于电力电缆主要原材料价格维持高位波动以及市场竞争激烈，公司电力电缆毛利率持续承压。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。公司继续加快市场与产品结构双向调整，收缩低毛利业务，以电力市场为基本盘，重点推进机器人电缆、算力电缆、铝芯电缆等新产品研发，加大新兴市场拓展力度，加快海外市场开拓。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。

三 | 　　光通信板块方面，得益于AI智算集群大规模建设、低空经济应用等需求，光纤量价齐升，光纤行业维持高景气行情。

四 | 　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。公司深挖数据中心、AI算力新赛道客户资源，同时持续拓展海外市场，扩大业务规模，建立长期稳定的战略合作关系。　　铜箔板块方面，公司在管理上加强成本控制、提升产品A品率、加快人才梯队建设，研发上重点加快HVLP、RTF等新产品进度，进一步完善产品送样和试用检验，加快市场化推广步伐，不断加强铜箔业务发展动能。　　8月25日，杭电股份股价收涨4.39%，报29.02元/股，最新市值约201亿元。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　6月25日，杭电股份股价创历史新高，最高触及57.21元/股。自年初至6月25日，公司股价累计涨幅达609.55%。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。之后，杭电股份股价回调，今年以来，截至目前，公司股价累计涨超260%。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。

五 | 　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。

六 | 　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。（文章来源：中国证券报）。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。